金屬氧化物半導體場效電晶體 - 維基百科，自由的百科全書 金屬氧化物半導體場效電晶體 （簡稱： 金氧半場效電晶體 ； 英語 ： Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor ， 縮寫 ： MOSFET ），是一種可以廣泛使用在 類比電路 與 數位電路 的 場效電晶體 。金屬氧化物半導體場效電晶體依照其通道極性的不同，可分為 ...
寄生電容 - 維基百科，自由的百科全書 寄生電容 （ 英語 ： parasitic capacitance ）也稱為 雜散電容 ，是 電路 中 電子元件 之間或電路模塊之間，由於相互靠近，形成的不可避免，同時經常是人們設計時不 ...
電子設計應用-寄生電容和雜散電容 14 電容器的寄生作用與雜散電容 電容器的寄生作用 問：我想知道如何為具體的應用選擇合適的電容器，但我又不清楚許多不同種類 的電容器有哪些優點和缺點? 答 ...
寄生電容- 台灣Wiki 實際上,由於頻率的不斷提高,致使引線寄生電感、寄生電容的影響愈加嚴重,對器件造成更大的電應力(表現為過電壓、過電流毛刺)。為了提高系統的可靠性,有些 ...
電容器的寄生（寄生電容） - 電子VIP ... ，但由於布線構之間總是有互容，互感就好像是寄生在布線之間的一樣，所以叫寄生電容。寄生電容 ...
金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科，自由的百科全书 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體（Insulated-Gate Field Effect ..... 實作成功，這種元件的操作原理和1947年蕭克利等人發明的雙載子接面電晶體 ...
寄生電容_百科 寄生的含義就是本來沒有在那個地方設計 電容但由於佈線之間總是有互容互容就好像是 寄生在佈線之間的一樣所以叫 ...
VLSI概論 Introduction to VLSI 電容包括接線電容、閘極電容、擴散層電容（接到輸出端的汲極區域）及其他寄生電容與 ... = Cgs ＋ Cgb ＋ Cgd 影響電路工作速度的閘極電容 雖然MOS在不同工作模式，不同偏壓下，整個電容效應值就會有差異；然而閘極電容Cg卻近似於「閘--氧化層 ...
米勒效應對MOS的影響 ? - Yahoo!奇摩知識+ 在MOS的電路上，如有寄生電容產生了米勒效應，會對MOS的產生什麼影響 ?? ... 現在的功率MOS都是並聯的架構，所以GS間的電容都相當大，故在電路間如有米勒效應，則頻寬快速下降，容易造成振盪，或作ON→OFF動作時，由延遲或鎖定的問題產生，這樣就 ...
MOSFET體內寄生電容-電源技術 - 21ic電子技術論壇 Ciss Coss Crss與 Cgs Cds Cds這三者的關係為何？糊塗了。如果用在諧振電路裡面，那個電容值是關鍵 MOSFET體內寄生電容
